High NA EUV、Intelは処理100万枚超 ASML・TSMCは12インチフォトマスク移行へ
2026年9月8日、ASMLとTSMCは、High NA EUV 12インチフォトマスクへの移行を業界横断で進めるイニシアチブを発表しました。取り組み自体は前日の9月7日、米カリフォルニア州モントレーで開催されるSPIE BACUS Conferenceに先立って立ち上げられています。
さらに、Intel FoundryとASMLは同じ週に、High NA EUVの量産利用と大型フォトマスク移行に関する新たな進捗を公表しました。Intel Newsroomは9月7日付、ASMLは9月8日付で同内容の共同発表を掲載しています。Intelによると、装置認定・テスト、研究開発、一部の量産を含む累計で、High NA EUVを使って処理したウエハーは100万枚を超えました。
目標は2031年までに12インチフォトマスクのパイロットラインを整備し、2033年までに12インチ対応のHigh NAリソグラフィーシステムを先端ノード生産へ投入できる状態にすることです。いずれも現時点では将来目標であり、完了済みの設備計画ではありません。
同じ9月8日、Samsung Electronicsもこの12インチフォトマスクの業界イニシアチブへの参加を発表しました。Samsungはさらに、2028年までに将来のDRAM量産へHigh NA EUVを導入する計画を示しています。
High NA EUV 12インチフォトマスク移行、2031年に試験ライン目標
ASMLとTSMCの公式発表によると、High NA EUVはまず現在の6インチフォトマスクを使って導入されます。その後、より大きな12インチフォトマスクへ移行することで、製造現場の生産性向上、チップ製造コストの低減、露光時のスティッチング制約の緩和が期待されています。これらは現時点で期待される効果であり、実績として確定した数値ではありません。
TSMCは、先端ノードの量産でASMLのHigh NA技術を2030年から使用する意向を示しています。ASMLとTSMCは12インチフォトマスクのパイロットラインを2031年までに整備し、2033年までに12インチ対応のリソグラフィーシステムを先端ノード生産へ投入できる状態にすることを目指しています。
なぜ「12インチ」が重要なのか
フォトマスクは、半導体回路のパターンをウエハーへ転写する際に使われる原版です。High NA EUVでも当初は既存の6インチフォーマットを使いますが、より大きな露光領域を扱ううえで、12インチ化は製造フロー全体の再設計につながる可能性があります。
重要なのは、露光装置だけを置き換えれば済む話ではないことです。フォトマスクのフォーマットが変われば、マスク製造、材料、検査、計測など周辺工程も対応を求められます。
イメージ画像（AI生成）。実際のASML、TSMC、Samsungの設備・フォトマスクを撮影したものではありません。
Intel FoundryはすでにHigh NA EUVで100万枚超を処理
Intel FoundryとASMLの共同発表によると、Intel FoundryでHigh NA EUVを使って処理されたウエハーは累計100万枚を超えました。ただし、この数字はすべてが量産品という意味ではありません。装置の認定・テスト、研究開発、そしてPanther Lake（Intel Core Ultra Series 3）の一部製品における特定レイヤーの量産を合わせた累計です。
Intelは、Intel 18AでHigh NA EUVを使った特定レイヤーについて、従来のNA 0.33のNXEプラットフォームで形成した比較対象レイヤーと同等以上の性能を示していると説明しています。これはIntelとASMLによる企業発表であり、第三者による独立評価値ではありません。
またIntel Foundryは、3年以上にわたり大型マスクフォーマットの業界整合を推進してきたと説明しています。短期的には現在の6インチマスクを、必要に応じてスティッチングと組み合わせて活用しつつ、将来は6×12インチの大型フォトマスクへ移行する方針です。
Samsungも参加、メモリーとロジックの両面へ
Samsung Electronicsは9月8日、ASMLとの戦略的協力拡大を発表し、High NA EUV向け12インチフォトマスクの業界イニシアチブに参加すると表明しました。
Samsungはまた、2028年までに将来のDRAM量産へHigh NA EUVを導入する計画を示しています。これはSamsung自身が公表した将来計画であり、導入完了を意味するものではありません。TSMCの先端ロジックとSamsungのDRAMという異なる量産分野でHigh NA EUVの導入計画が具体化している点は、装置・マスク・材料を含む供給網にとって重要です。
世界の半導体競争で何が変わるのか
量産段階の時間軸にも差があります。Reutersは、IntelがHigh NA EUVをすでに生産で使用している一方、TSMCとSamsungではHigh NA EUVの大量生産利用はまだ始まっていないと報じています。TSMCは2030年から先端ノード量産に導入する計画、Samsungは2028年までにDRAM量産へ導入する計画を示しています。
ACIMA WORLD NEWSは、この発表の重要性を、露光装置単体の性能競争ではなく、High NA EUVの量産経済性を高めるための業界プラットフォーム変更にあると見ています。12インチ化にはマスク、材料、検査、計測など複数の周辺工程の協調が必要になるためです。
ASMLとTSMCは、主要な業界パートナーやサプライヤーが発表イベントに参加し、イニシアチブへの関心を示したとしています。ただし、同社の発表ではその参加企業名を列挙していません。参加企業の範囲は、今後の正式発表を個別に確認する必要があります。
日本企業・読者への影響
今回確認したASML・TSMCおよびSamsungの公式発表では、日本企業の参加社名は示されていません。したがって、現時点で特定の日本企業がこのイニシアチブに参加しているとは確認できません。
一方、12インチ化が実際の量産標準へ向かえば、フォトマスク製造、材料、検査・計測、半導体製造装置など幅広い供給網に仕様変更や設備投資の判断が及ぶ可能性があります。日本企業にとっては、誰が標準策定・パイロットライン・認定プロセスへ参加するのかを追うことが重要になります。
一次情報・原文
ASML / TSMC 公式発表（2026年9月8日）
https://www.asml.com/en/news/press-releases/2026/tsmc-and-asml-announce-industry-transition-to-large-format-photomasks-for-high-na-euv
Samsung Electronics 公式発表（2026年9月8日）
https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-and-asml-expand-strategic-collaboration-for-next-generation-semiconductor-manufacturing
Intel Foundry / ASML 共同発表（Intel Newsroom、2026年9月7日）
https://www.intel.com/content/www/us/en/newsroom/news/intel-foundry/intel-foundry-asml-accelerate-industry-readiness-for-high-na-euv.html
ASML 公式発表（Intel Foundryとの協力、2026年9月8日）
https://www.asml.com/en/news/press-releases/2026/intel-foundry-and-asml-collaborate-to-accelerate-industry-readiness-for-high-na-euv
照合情報：Reuters（2026年9月8日）
https://www.reuters.com/world/asia-pacific/asml-work-with-major-chipmakers-to-use-latest-tools-larger-chips-2026-09-08/
ACIMA WORLD NEWSの視点
注目すべきなのは、「フォトマスクが大きくなる」という仕様変更だけではありません。High NA EUVを量産経済性のある技術として広げるには、露光装置だけでなく、フォトマスク、材料、検査、計測など周辺サプライチェーンを同時に変える必要があります。
ACIMA WORLD NEWSは、IntelのHigh NA EUV量産利用と6×12インチ移行、2031年のパイロットライン、TSMCが計画する2030年からの量産導入、Samsungが計画する2028年までのDRAM量産導入、2033年のシステム準備目標、そして実際の参加企業を、それぞれ別の事実として追跡します。
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